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申请/专利权人：北京大学东莞光电研究院
摘要：本发明公开一种GaN单晶生长装置及其方法，包括：籽晶；加热组件；反应釜，所述加热组件设置于反应釜外侧，反应釜用于容纳反应原料和籽晶；升降机构，升降机构包括固定部、升降部和悬挂部，固定部设置于反应釜的外部，悬挂部设置于反应釜的内部，升降部的一端连接于所述固定部，升降部的另一端穿过反应釜的上端连接于悬挂部，籽晶设置于悬挂部；旋转机构，反应釜固定于旋转机构上。本发明通过反应釜的旋转实现籽晶的提升与下降，实现当N离子浓度较高时，籽晶浸入熔体，当N离子浓度较低时，籽晶与熔体分离，可以间断性控制GaN单晶的生长，保证了籽晶一直处于N离子的高浓度环境中，提高了GaN单晶的生长质量。
主权项：1.一种GaN单晶生长装置，包括籽晶，其特征在于：还包括：加热组件；反应釜，所述加热组件设置于所述反应釜外侧，所述反应釜用于容纳反应原料和籽晶；升降机构，所述升降机构包括固定部、升降部和悬挂部，所述固定部设置于反应釜的外部，所述悬挂部设置于反应釜的内部，所述升降部的一端连接于所述固定部，所述升降部的另一端穿过所述反应釜的上端连接于所述悬挂部，所述籽晶设置于所述悬挂部；旋转机构，所述反应釜固定于旋转机构上，所述旋转机构用于使所述升降部相对所述反应釜进行移动，从而使所述悬挂部在反应釜内上升或下降以调整所述籽晶在所述反应釜内的位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学东莞光电研究院 一种GaN单晶生长装置及方法
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