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基于GaN的可调电流驱动器电路 

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申请/专利权人:宜普电源转换公司

摘要:一种用于提供可调输出驱动器电流的电路,其用于LiDAR或其他类似的GaN驱动器应用。该电路为高电流GaN驱动器FET创建合适的栅极‑源极电压VGS,以获得所需的高摆率驱动器电流IDRV。外部提供的参考电流用于创建驱动器FET所需的VGS,该VGS存储在外部电容器中。电容器的值远远超过GaN驱动器FET相对较低的输入电容。当需要具有期望值的脉冲IDRV时,电容器上的电压会撞击在驱动器FET的栅极上,从而产生期望的IDRV。参考充电电路可补充电容器上损失的任何电荷,从而可以在下一个命令脉冲上获得相同的所需IDRV。

主权项:1.一种可调电流驱动器电路,包括:包括电流镜的电路,用于基于外部提供的参考电流使用来自第一电源电压的充电电流ICHG为存储电容器充电,所述电路基于参考电流IREF汲取来自电源的充电电流ICHG,借此所述参考电流IREF的值的变化导致所述充电电流ICHG的值和所述存储电容器中存储的电荷的相应变化;以及脉冲控制器电路,用于响应于控制信号,将所述存储电容器连接到栅极驱动器FET的栅极,以驱动并允许驱动电流IDRV流过栅极驱动器FET,或者用于将所述存储电容器与所述栅极驱动器FET的所述栅极断开并将所述栅极驱动器FET的所述栅极接地,以防止电流流过所述栅极驱动器FET;借此所述参考电流IREF的变化响应于温度,电源电压,电路阻抗和工艺变化,导致所述参考电流IREF的变化,导致所述存储电容器中存储的所述电荷的相应变化,导致当所述存储电容器连接到所述栅极驱动器FET的所述栅极时流过所述栅极驱动器FET的所述驱动电流IDRV的成比例的变化。

全文数据:

权利要求:

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