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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例公开了一种晶体管单元及其阵列、集成电路。其中，晶体管单元包括：衬底；N条栅极，均位于衬底上；N条栅极在衬底表面的投影形成封闭的形状；N为大于2的正整数；第一源区；位于衬底中，且第一源区在衬底表面的投影位于封闭的形状中；第一源区被N条栅极共用；N个漏区；位于衬底中，且N个漏区中的每个漏区均和源区分居N条栅极中相应栅极的两侧；多个第一源端导电插栓，位于第一源区上，并与第一源区电接触；每个漏区设置有多个漏端导电插栓，且多个漏端导电插栓与漏区电接触；第一源端金属层，位于第一源端导电插栓上，并与所有的第一源端导电插栓电接触；漏端金属层，位于漏端导电插栓上，并与所有的漏端导电插栓电接触。
主权项：1.一种晶体管单元，其特征在于，包括：衬底；N条栅极，均位于衬底上；所述N条栅极在衬底表面的投影形成封闭的形状；N为大于2的正整数；第一源区，位于衬底中且在衬底表面的投影位于所述封闭的形状中；所述第一源区被所述N条栅极共用；N个漏区，位于衬底中，所述N个漏区中的每个均和所述第一源区分居所述N条栅极中相应栅极的两侧；多个第一源端导电插栓，位于所述第一源区上并与所述第一源区电接触；每个所述漏区上设置有多个漏端导电插栓，且所述多个漏端导电插栓与所述漏区电接触；第一源端金属层，位于所述第一源端导电插栓上并与所有的所述第一源端导电插栓电接触；漏端金属层，位于所述漏端导电插栓上并与所有的所述漏端导电插栓电接触；所述晶体管单元还包括：N个第二源区，其中，所述N个第二源区位于所述衬底中，所述N个第二源区中的每一个在所述衬底表面的投影均位于所述封闭的形状外，且与所述漏区位于相应栅极的两侧；所述N个第二源区的面积之和等于所述第一源区的面积。
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权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 晶体管单元及其阵列、集成电路
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