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一种DRAM的低功耗模式的实现方法及终端 

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申请/专利权人:瑞芯微电子股份有限公司

摘要:本发明公开一种DRAM的低功耗模式的实现方法及终端,确定对所述DRAM进行数据访问的应用类型;根据所述应用类型配置对应的低功耗模式的控制策略;能够根据不同应用类型的不同访问类型配置对应的低功耗模式的控制策略,针对不同应用类型的数据访问特点配置相适配的低功耗模式的控制策略,使得针对不同应用类型的数据访问,DRAM都有对应的更优的功耗效果和性能效果,从而实现整体更好的功耗和性能效果。

主权项:1.一种DRAM的低功耗模式的实现方法,其特征在于,包括步骤:确定对所述DRAM进行数据访问的应用类型;根据所述应用类型配置对应的低功耗模式的控制策略;所述低功耗模式的控制策略包括对低功耗模式的类型的选择和或对选择的低功耗模式的进入时间和或退出时间的控制;若对所述DRAM的数据访问为帧数据访问,则每一帧数据访问结束,立即控制所述DRAM进入所选择的第一低功耗模式;根据所述帧数据访问的帧间隔定时触发所述DRAM退出所选择的第一低功耗模式。

全文数据:

权利要求:

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