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申请/专利权人：湖北科技学院
摘要：本发明提供了一种可实现反射率定向调控的反PT对称光子多层，属于光学技术领域。所述反PT对称光子多层包括两个对称分布的Thue‑Morse序列，其中一个所述Thue‑Morse序列SN的迭代规则为：当N＝1时，S2＝A，当N≥2时SN＝SN‑1SN‑1中的A由AB代替，SN‑1中的B由BA代替；另一个所述Thue‑Morse序列SN'的迭代规则为：当N＝1时，S2'＝A'，当N≥2时SN'＝SN‑1'SN‑1'中的A'由A'B'代替，SN‑1'中的B'由B'A'代替。本发明可实现反射率的定向调控。
主权项：1.一种可实现反射率定向调控的反PT对称光子多层，其特征在于，所述反PT对称光子多层包括两个对称分布的Thue-Morse序列，其中一个所述Thue-Morse序列SN的迭代规则为：当N=1时，S1=A；当N≥2时，SN-1中的A由AB代替，SN-1中的B由BA代替；另一个所述Thue-Morse序列SN'的迭代规则为：当N=1时，S1'=A'，当N≥2时SN'=SN-1，SN-1'中的A'由A'B'代替，SN-1'中的B'由B'A'代替；A为第一电介质层；B为第二电介质层；A'为第三电介质层；B'为第四电介质层；其中下标N为序列的序数；第一电介质层的折射率表示为na；第三电介质层的折射率表示为na'；第二电介质层的折射率表示为nb；第四电介质层的折射率表示为nb'；na=nA+0.01qi，na'=nA'+0.01qi，nb=nB+0.01qi，nb'=nB'+0.01qi，其中i为虚数单位，q为增益-损耗因子，nA为第一电介质层折射率的实部，nB为第二电介质层折射率的实部；nA'为第三电介质层折射率的实部，nB'为第四电介质层折射率的实部；第一电介质层与第四电介质层的折射率实部相同，第二电介质层与第三电介质层的折射率实部相同；光波从反PT对称光子多层的正向或反向垂直入射；所述第一电介质层和第四电介质层均为二氧化硅。
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权利要求：
百度查询： 湖北科技学院 一种可实现反射率定向调控的反PT对称光子多层
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