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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明公开一种石墨烯层数的调控方法，属于新材料制备领域。本发明以化学气相沉积制备的少层石墨烯为起始原料，在常压化学气相沉积系统中通过对石墨烯铜复合薄膜进行高温下氢气退火工艺处理，并调控高温氢气退火的时间，可获得双层石墨烯和单层石墨烯；本发明简单易行，具有很好的重现性，适合于石墨烯层数由多层向少层的单向调控，为单层和双层石墨烯的制备提供了一种新思路，在复合材料和电子电器领域具有潜在的工业应用前景。
主权项：1.一种石墨烯层数的调控方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1以铜箔为催化剂衬底，去除铜箔上的污染物和氧化物，并在恒温和氢气和氩气的混合气氛下进行还原，获得洁净的铜箔表面；2还原结束后，通过控温程序继续升温至1020℃，在常压下，通入一定流量的甲烷、氢气和氩气，保温20min，获得少层石墨烯；3少层石墨烯生长结束后，停止通入甲烷，继续在1020℃下，并在氢气与氩气的混合气氛中保温30-40min获得双层石墨烯或者单层石墨烯。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 一种石墨烯层数的调控方法
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