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申请/专利权人：意法半导体公司
摘要：一种电阻性随机存取存储器RRAM结构形成于支撑衬底上并且包括第一电极和第二电极。该第一电极是由在该支撑衬底上的硅化物化的鳍以及覆盖该硅化物化的鳍的第一金属内衬层制成的。具有可配置的电阻性质的电介质材料层覆盖该第一金属内衬层的至少一部分。该第二电极是由覆盖该电介质材料层的第二金属内衬层以及与该第二金属内衬层相接触的金属填充物制成的。非易失性存储器单元包括电连接于存取晶体管与位线之间的RRAM结构。
主权项：1.一种存储器单元，包括：衬底层；多个半导体鳍，在所述衬底层上，并且被定位为彼此间隔开；第一金属内衬层，在所述多个半导体鳍上并且在所述衬底层上；多个第一接触柱，每个第一接触柱在所述第一金属内衬层上并且位于多个半导体鳍中的不同的相应半导体鳍附近；电介质层，具有可配置电阻性并且覆盖所述第一金属内衬层的、在所述多个半导体鳍中的每个半导体鳍上的部分；金属层，与所述电介质层接触；以及多个第二接触柱，每个第二接触柱在所述半导体鳍中的相邻半导体鳍之间的空间附近的所述金属层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体公司 高密度电阻性随机存取存储器（RRAM）
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