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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本文描述的技术用以形成半导体器件，所述半导体器件具有形成于电介质壁之间的一个或多个外延源极区或漏极区，所述电介质壁分隔每个相邻对的源极区或漏极区。在示例中，半导体器件包括沿第一方向从源极区或漏极区延伸的半导体区。电介质壁沿所述第一方向与所述源极区或漏极区的相反侧相邻地延伸。第一和第二电介质壁还沿所述第一方向穿过所述半导体区上方存在的栅极结构延伸。电介质衬层存在于所述源极区或漏极区的第一侧的至少一部分和所述第一电介质壁之间和或所述源极区或漏极区的第二侧的至少一部分和所述第二电介质壁之间。所述电介质壁可以将所述源极区或漏极区与其他相邻的源极区或漏极区分隔开。
主权项：1.一种集成电路，包括：半导体器件，所述半导体器件具有沿第一方向从源极区或漏极区延伸的半导体区，以及沿第二方向在所述半导体区上方延伸的栅电极；第一电介质壁，所述第一电介质壁沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极并且沿所述第一方向与所述源极区或漏极区的第一侧相邻地延伸；第二电介质壁，所述第二电介质壁沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极并且沿所述第一方向与所述源极区或漏极区的第二侧相邻地延伸，所述第二侧与所述源极区或漏极区的所述第一侧相反；以及电介质衬层，所述电介质衬层位于所述源极区或漏极区的所述第一侧或所述源极区或漏极区的所述第二侧的至少一部分上并且位于所述第一电介质壁的侧壁的至少一部分和所述第二电介质壁的侧壁的至少一部分上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 利用电介质壁的约束外延形成
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