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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

摘要：本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过将多量子阱层结构设置为复合结构，其中，量子阱层为InGaN层，量子垒层为AlInGaNAlGaNAlNGaN的组合结构，在生长多量子阱层的过程中，InGaN层生长温度为T0，AlInGaN子层生长温度为T1，AlGaN子层的生长温度为T2，AlN子层的生长温度为T3，GaN子层的生长温度为T4，其中，T4=T3≥T2≥T1≥T0，具体的，采用这种组合结构的垒层，把传统的方形阱结构改变成刃形阱结构，可以将载流子更好地限制在InGaN层，从而增加电子和空穴的辐射复合概率，提高外延片的内量子效率。

主权项：1.一种LED外延片，其特征在于，包括衬底和在衬底上沿外延生长方向依次沉积缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、多量子阱层及P型层，所述多量子阱层包括周期性交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，所述量子垒层为AlInGaNAlGaNAlNGaN的组合结构，在生长多量子阱层的过程中，InGaN层生长温度为T0，AlInGaN子层生长温度为T1，AlGaN子层的生长温度为T2，AlN子层的生长温度为T3，GaN子层的生长温度为T4，其中，T4=T3＞T2＞T1≥T0，且T1、T2及T3之间相差20℃，有利于保护晶体质量的同时，保护InGaN量子阱层中In不发生解吸附反应；单个量子垒层中，AlInGaN子层的厚度为W1，AlGaN子层的厚度为W2，AlN子层的厚度为W3，GaN子层的厚度为W4，其中，W4＞W1≥W2≥W3，AlInGaN子层的厚度为1nm~3nm，AlGaN子层的厚度为1nm~2nm，AlN子层的厚度为0.5nm~1nm，GaN子层的厚度为9nm~11nm，有利于拉高能带势垒的同时，不影响电流扩展；InGaN层生长温度为800℃，AlInGaN子层生长温度为820℃，AlGaN子层的生长温度为840℃，AlN子层和GaN子层的生长温度均为860℃；当所述量子垒层中的GaN子层为N型掺杂的GaN时，掺杂杂质元素为硅或锗中的一种，掺杂后的所述量子垒层中的GaN子层的电子浓度范围为1017atomscm3～1019atomscm3。

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