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申请/专利权人:天津理工大学
摘要:本发明公开一种以高氧含量、角形形貌的氮化铝粉体为原料制备低氧含量球形氮化铝粉体的方法,原料配方包括氮化铝粉和碳粉,通过碳热还原二次氮化方法,原位成核结晶生长,制备氧含量低于0.50%,粒度1~10μm的球形氮化铝粉体。该制备方法具有工艺、制备成本低的特点,制备的低氧含量球形氮化铝粉体,可用作电子封装高导热填料。
主权项:1.以高氧含量、角形形貌的氮化铝粉体为原料,通过碳热还原二次氮化方法制备低氧含量球形氮化铝粉体的方法,其特征在于,原料配方包括高氧氮化铝粉和碳粉,原料经过称重、混匀后,经过高温热处理,随后除碳解聚,制备得到氧含量低于0.50%,粒度1-10μm的球形氮化铝粉体。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 天津理工大学 一种低氧含量球形氮化铝粉体的制备方法
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