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申请/专利权人：安徽大学

摘要：本申请涉及一种基于14T‑TFET‑SRAM单元电路的带符号乘法与乘累加运算电路，单元电路包括NTFET管N0‑N6以及PTFET管P0‑P6；P0的源极、漏极和栅极分别与P4的漏极、N0的漏极和栅极电连接，P0的漏极设置有存储节点Q；P1的源极、漏极和栅极分别与电源VDD、N1的漏极和栅极电连接，P1的漏极设置有存储节点QB；P2的源极、漏极和栅极分别与P3的漏极、N2的漏极和N4的栅极电连接；P3的源极和栅极分别与电源VDD和写控制信号线WLB电连接；P4的源极和栅极分别与电源VDD和N2的栅极电连接；P5的源极、漏极和栅极分别与P6的漏极、位线RBLB和N1的漏极电连接；P6的源极和栅极分别与电源VDD和输入字线INWLB电连接；N0的源极与N4的漏极电连接；N1的源极与地线VSS电连接；N2的源极和栅极分别与N3的漏极和写控制信号BLB电连接；N3的源极和栅极分别与地线VSS和写控制信号线WL电连接；N4的源极和栅极分别与地线VSS和写控制信号线BL电连接；N5的源极、漏极和栅极分别与地线VSS、N6的源极和N2的漏极电连接；N6的漏极和栅极分别与位线RBL和输入字线INWL电连接。解决了现有的TFET‑SRAM单元电路的静态功耗大的问题。

主权项：1.一种14T-TFET-SRAM单元电路，其特征在于，所述14T-TFET-SRAM单元电路包括第一NTFET管至第七NTFET管以及第一PTFET管至第七PTFET管；第一PTFET晶体管P0的源极、漏极和栅极分别与第五PTFET管P4的漏极、第一NTFET管N0的漏极和栅极电连接，第一PTFET晶体管P0的漏极设置有第一存储节点Q；第二PTFET晶体管P1的源极、漏极和栅极分别与电源VDD、第二NTFET管N1的漏极和栅极电连接，第二PTFET晶体管P1的漏极设置有第二存储节点QB；第三PTFET晶体管P2的源极、漏极和栅极分别与第四PTFET晶体管P3的漏极、第三NTFET晶体管N2的漏极和第五NTFET晶体管N4的栅极电连接；第四PTFET晶体管P3的源极和栅极分别与电源VDD和第一行写控制信号线WLB电连接；第五PTFET晶体管P4的源极和栅极分别与电源VDD和第三NTFET晶体管N2的栅极电连接；第六PTFET晶体管P5的源极、漏极和栅极分别与第七PTFET晶体管P6的漏极、第一位线RBLB和第二NTFET晶体管N1的漏极电连接；第七PTFET晶体管P6的源极和栅极分别与电源VDD和第一输入字线INWLB电连接；第一NTFET晶体管N0的源极与第五NTFET晶体管N4的漏极电连接；第二NTFET晶体管N1的源极与地线VSS电连接；第三NTFET晶体管N2的源极和栅极分别与第四NTFET晶体管N3的漏极和第一列写控制信号BLB电连接；第四NTFET晶体管N3的源极和栅极分别与地线VSS和第二行写控制信号线WL电连接；第五NTFET晶体管N4的源极和栅极分别与地线VSS和第二列写控制信号线BL电连接；第六NTFET晶体管N5的源极、漏极和栅极分别与地线VSS、第七NTFET晶体管N6的源极和第三NTFET晶体管N2的漏极电连接；第七NTFET晶体管N6的漏极和栅极分别与第二位线RBL和第二输入字线INWL电连接。

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百度查询： 安徽大学 基于14T-TFET-SRAM单元电路的带符号乘法与乘累加运算电路