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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：一种功率半导体器件，其包括：至少一个衬底；至少一个功率半导体裸片，其布置在所述至少一个衬底之上；第一引线框架，其布置在所述至少一个功率半导体衬底之上和所述至少一个功率半导体裸片之上，所述第一引线框架至少部分地布置在第一平面中，所述第一引线框架包括在第一方向上延伸出所述第一平面的一个或多个连接部分；以及第二引线框架，其至少部分地布置在位于所述第一平面上方或下方的第二平面中，所述第二引线框架包括一个或多个附接部位，其中，所述一个或多个连接部分在所述一个或多个附接部位处延伸到所述第二平面中，并且其中，所述连接部分布置在距所述第二引线框架非零距离处，所述非零距离由所述一个或多个附接部位处的焊缝桥接。
主权项：1.一种功率半导体器件100，包括：至少一个衬底110，至少一个功率半导体裸片120，其布置在所述至少一个衬底110之上，第一引线框架130，其布置在所述至少一个衬底110之上和所述至少一个功率半导体裸片120之上，所述第一引线框架130至少部分地布置在第一平面中，所述第一引线框架130包括在第一方向上延伸出所述第一平面的一个或多个连接部分131，以及第二引线框架140，其至少部分地布置在位于所述第一平面上方或下方的第二平面中，所述第二引线框架140包括一个或多个附接部位143，其中，所述一个或多个连接部分131在所述一个或多个附接部位143处延伸到所述第二平面中，并且所述连接部分131布置在距所述第二引线框架140非零距离处，所述非零距离由所述一个或多个附接部位143处的焊缝150桥接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 在金属部件之间具有无应力接头的功率半导体器件及其制造方法
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