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申请/专利权人：广东电网有限责任公司广州供电局
摘要：本发明提供超表面单光子探测器及其制备方法，包括：衬底层和在衬底层上依次生长的外延结构、P电极和N电极；所述衬底层设置有超表面结构。通过在芯片的衬底结构上设置超表面结构，既保留原有单光子探测器芯片外延结构的高性能，也引入了超表面节后改善单光子探测器芯片的探测效率，对单光子探测器的整体性能进行提高。
主权项：1.一种超表面单光子探测器，其特征在于，包括：衬底层和在衬底层上依次生长的外延结构、P电极和N电极；所述衬底层设置有超表面结构。
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权利要求：
百度查询： 广东电网有限责任公司广州供电局 超表面单光子探测器及其制备方法
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