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申请/专利权人：山东省科学院激光研究所

摘要：本申请涉及激光器制备技术领域，提供一种基于侧向外延的激光器及其制备方法。制备方法包括：在衬底上生长缓冲层；形成多个第一台面结构；生长N‑GaAs层；形成第二台面结构；生长量子阱结构；形成第三台面结构；生长P‑GaAs层；去除第三台面结构表面的P‑GaAs层，形成第四台面结构；去除第一台面结构并制备N‑金属电极；制备P‑金属电极，得到基于侧向外延的激光器。该制备方法利用外延生长替代刻蚀技术，将竖向结构转换为横向结构，能够有效降低工艺复杂度，降低制备方法对高端设备的依赖，有效降低生产成本，节约生产时间，同时还能够提高制备均匀性，提高生产良率。

主权项：1.一种基于侧向外延的激光器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上生长缓冲层；刻蚀所述缓冲层，形成多个第一台面结构；其中，所述第一台面结构为柱状，所述第一台面结构的高度小于所述缓冲层的高度；生长N-GaAs层；其中，所述N-GaAs层覆盖在所述第一台面结构的表面、所述第一台面结构的侧壁以及任意相邻两个所述第一台面结构之间的所述缓冲层的表面；去除所述第一台面结构表面的所述N-GaAs层，形成第二台面结构；其中，去除后的所述第一台面结构的侧壁上的所述N-GaAs层的表面与所述第一台面结构的表面在同一水平面；生长量子阱结构；其中，所述量子阱结构覆盖在所述第二台面结构的表面、所述第二台面结构的侧壁以及任意相邻两个所述第二台面结构之间的所述N-GaAs层的表面；去除所述第二台面结构表面的所述量子阱结构，形成第三台面结构；其中，去除后的所述第二台面结构的侧壁上的所述量子阱结构的表面与所述第二台面结构的表面在同一水平面；生长P-GaAs层；其中，所述P-GaAs层覆盖在所述第三台面结构的表面、所述第三台面结构的侧壁以及任意相邻两个所述第三台面结构之间的所述量子阱结构的表面；去除所述第三台面结构表面的所述P-GaAs层，形成第四台面结构；其中，去除后的所述第三台面结构的侧壁上的所述P-GaAs层的表面与所述第三台面结构的表面在同一水平面；去除所述第一台面结构并制备N-金属电极；其中，所述N-金属电极沉积在所述缓冲层以及所述P-GaAs层的侧壁；制备P-金属电极，得到基于侧向外延的激光器；其中，所述P-金属电极沉积在所述P-GaAs层。

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权利要求：

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