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申请/专利权人:济南晶正电子科技有限公司
摘要:本申请提供一种低直流漂移薄膜、制备方法以及电光调制器。低直流漂移薄膜从下至上依次包括衬底层、隔离层以及通过外加电场极化法制备有导电畴壁的铌酸锂薄膜层;所述铌酸锂薄膜层为x切向的铌酸锂薄膜,所述导电畴壁包括成对出现的头对头型畴壁和尾对尾型畴壁。通过外加电场极化法在x切铌酸锂薄膜中制备导电的畴壁结构,由于畴壁结构的引入,使得铌酸锂晶体的纵向电阻大幅降低,同时保持横向电阻无明显下降,在不影响电光调制器其他性能以及不引入其他繁琐工艺的前提下,抑制铌酸锂薄膜波导调制器中的直流漂移现象,提高器件性能稳定性。
主权项:1.一种低直流漂移薄膜,其特征在于,所述低直流漂移薄膜从下至上依次包括衬底层、隔离层以及通过外加电场极化法制备有导电畴壁的铌酸锂薄膜层;所述铌酸锂薄膜层为x切向的铌酸锂薄膜,所述导电畴壁包括成对出现的头对头型畴壁和尾对尾型畴壁。
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权利要求:
百度查询: 济南晶正电子科技有限公司 一种低直流漂移薄膜、制备方法以及电光调制器
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