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申请/专利权人：日立能源有限公司
摘要：本发明涉及一种晶体管10、特别是宽带隙半导体功率晶体管40，包括：第一导电类型的外延层11；第二导电类型的至少一个阱区域13，其形成在外延层11的选定区域中；第一导电类型的至少一个端子区域，特别是源极区域29，其形成在至少一个阱区域13中或形成为与其毗邻；至少一个端子电极15，特别是源电极21，其至少部分地形成在至少一个端子区域14的第一部分的表面12上；和形成在至少一个端子区域14内的至少一个电阻区域16，至少一个电阻区域16包括两性杂质。本公开进一步涉及一种包括多个开关单元的电力电子开关器件和一种用于制造晶体管10、特别是宽带隙半导体功率晶体管40的方法。
主权项：1.一种晶体管10，特别是宽带隙半导体功率晶体管40，包括：-第一导电类型的外延层11；-第二导电类型的至少一个阱区域13，其形成在所述外延层11的选定区域中；-所述第一导电类型的至少一个端子区域14，其形成在所述至少一个阱区域13中或形成为与所述至少一个阱区域毗邻，所述至少一个端子区域特别是源极区域29；-至少一个端子电极15，其至少部分地形成在所述至少一个端子区域14的第一部分的表面12上，所述至少一个端子电极特别是源电极21；以及-形成在所述至少一个端子区域14内的至少一个电阻区域16，所述至少一个电阻区域16包括两性杂质。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日立能源有限公司 晶体管、电力电子开关器件和用于制造晶体管的方法
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