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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本发明涉及具有弯曲耦合辅助特征的双层边缘耦合器，提供边缘耦合器的结构以及形成此类结构的方法。该结构包括半导体衬底、包括弯曲段以及终止该弯曲段的端部的第一波导芯、以及包括邻近该第一波导芯的该弯曲段设置的段的第二波导芯。该第一波导芯设置于该第二波导芯与该半导体衬底间。
主权项：1.一种边缘耦合器的结构，其特征在于，该结构包括：半导体衬底；第一波导芯，包括第一弯曲段以及终止该第一弯曲段的第一端部；以及第二波导芯，包括邻近该第一波导芯的该第一弯曲段设置的第一段，其中，该第一波导芯设置于该第二波导芯与该半导体衬底间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有弯曲耦合辅助特征的双层边缘耦合器
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