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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种用于半导体材料特性研究的横向肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括：半导体材料、肖特基接触电极和欧姆接触电极，其中，肖特基接触电极和欧姆接触电极位于半导体材料同侧表面；欧姆接触电极包围肖特基接触电极，且欧姆接触电极与肖特基接触电极之间存在优化设计的间距；欧姆接触电极面积大于肖特基接触电极面积。在基于电容测量的半导体材料特性研究中，本发明实施例可以有效降低由体材料、欧姆接触和离子注入等引起的寄生电阻、电容、非本征缺陷等对本征半导体材料肖特基电容特性的影响，使被测量电容值尽可能接近本征材料的肖特基电容值，测量结果直接表现半导体材料的本征特性，且不受半导体材料载流子浓度的限制。
主权项：1.一种用于半导体材料特性研究的横向肖特基二极管，其特征在于，包括：半导体材料1、肖特基接触电极2和欧姆接触电极3，其中，所述肖特基接触电极2和所述欧姆接触电极3位于所述半导体材料1的同侧表面；所述欧姆接触电极3包围所述肖特基接触电极2，且所述欧姆接触电极3与所述肖特基接触电极2之间存在预设间距；所述欧姆接触电极3的面积大于所述肖特基接触电极2的面积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 用于半导体材料特性研究的横向肖特基二极管及制备方法
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