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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明实施例提供一种测试结构及其制作方法，测试结构的制作方法包括：提供基底，并在所述基底上形成依次层叠的栅介质膜和导电膜；至少对所述导电膜进行图案化刻蚀，以形成位于所述基底上的多个分立的栅极结构，在所述栅极结构的排列方向上，相邻所述栅极结构之间的间距小于等于110nm；形成位于所述栅极结构相对两侧的隔离侧墙；以所述栅极结构和所述隔离侧墙为掩膜，向所述基底内注入掺杂离子，形成掺杂区，在垂直于所述基底表面的方向上，所述掺杂区的掺杂深度与所述基底顶面的间距小于10nm。本发明实施例有利于保证掺杂区电阻测试的准确性和有效性。
主权项：1.一种测试结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，并在所述基底上形成依次层叠的栅介质膜和导电膜；至少对所述导电膜进行图案化刻蚀，以形成位于所述基底上的多个分立的栅极结构，在所述栅极结构的排列方向上，相邻所述栅极结构之间的间距小于等于110nm；形成位于所述栅极结构相对两侧的隔离侧墙；以所述栅极结构和所述隔离侧墙为掩膜，向所述基底内注入掺杂离子，形成掺杂区，在垂直于所述基底表面的方向上，所述掺杂区的掺杂深度与所述基底顶面的间距小于10nm；形成所述栅极结构和所述隔离侧墙的工艺步骤包括：对所述导电膜进行第一刻蚀工艺，剩余所述导电膜以及位于剩余所述导电膜和所述基底之间的部分所述栅介质膜作为所述栅极结构，另一部分所述栅介质膜作为保护层；形成所述栅极结构的所述第一刻蚀工艺还会形成位于所述基底内的第一凹槽，所述第一凹槽的顶部开口宽度等于相邻所述栅极结构之间的间距；形成隔离膜，所述隔离膜覆盖所述栅极结构侧壁和覆盖所述保护层表面，覆盖所述栅极结构侧壁的所述隔离膜作为所述隔离侧墙，覆盖所述保护层表面的所述隔离膜作为隔离层；以所述栅极结构和所述隔离侧墙为掩膜，采用第二刻蚀工艺刻蚀所述隔离层和所述保护层，形成位于所述第一凹槽底部的第二凹槽，所述第二凹槽的顶部开口宽度与相邻所述隔离侧墙之间的间距相等。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 测试结构及其制作方法
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