龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：三一硅能(株洲)有限公司
摘要：本发明涉及电池技术领域，提供一种双面钝化接触太阳电池及其制备方法。该制备方法包括：S1、在含PN结的硅片双面镀超薄氧化硅；S2、在硅片背面的氧化硅表面涂覆硅浆料，待硅浆料干燥后，在其表面涂覆掺杂硅浆料；在硅片正面的氧化硅表面局部涂覆掺杂硅浆料，涂覆位置与正面电极图形相对应，且涂覆的宽度大于等于栅线宽度；S3、待涂覆的掺杂硅浆料干燥形成非晶硅后，对硅片进行退火处理，使非晶硅晶化且使掺杂物质扩散并激活。本发明通过采用涂覆掺杂硅浆料的方法代替CVD设备镀poly‑Si层，减少了酸碱溶液及特气的使用量，大大降低了生产成本，且步骤简单。同时，本发明方法增强了表面钝化，完美解决了金属复合和俄歇复合问题。
主权项：1.一种双面钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：S1、在含PN结的硅片双面镀超薄氧化硅；S2、在硅片背面的氧化硅表面涂覆硅浆料，待硅浆料干燥后，在其表面涂覆掺杂硅浆料；在硅片正面的氧化硅表面局部涂覆掺杂硅浆料，涂覆位置与正面电极图形相对应，且涂覆的宽度大于等于栅线宽度；S3、待涂覆的掺杂硅浆料干燥形成非晶硅后，对硅片进行退火处理，使非晶硅晶化且使掺杂物质扩散并激活。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三一硅能(株洲)有限公司 双面钝化接触太阳电池及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号