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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本申请提供了一种DBR激光器的制作方法，应用于半导体技术领域，采用带胶剥离低温生长的二氧化硅的工艺方法，制备具有不同光栅耦合系数的DBR激光器，不同光栅耦合系数的反射谱可以实现强DL效应的同时，减少往返增益的稀释效应，克服传统DBR激光器因对接无源材料而导致的微分增益降低。同时，采用光敏型聚酰亚胺，聚酰亚胺层上下均有二氧化硅介质层并仅在P型电极Pad下保留聚酰亚胺，提高Pad电极金属粘附性，减少器件RC效应。采用光敏型聚酰亚胺省略了制备过程中的ICP干法刻蚀工艺，简化工艺同时保证了器件具有良好的高频特性。本申请还公开了一种DBR激光器。
主权项：1.一种DBR激光器的制作方法，其特征在于，包括：S1，在衬底上依次外延缓冲层、有源层；S2，将二氧化硅作为掩膜，利用ICP干法和湿法腐蚀相结合的方法刻蚀DBR区上的有源层；S3，在所述DBR区对接生长1.2Q无源层和InP层；S4，生长二氧化硅作为光栅掩膜，在所述DBR区无源层和InP层上利用全息曝光技术和ICP干法刻蚀制备均匀光栅，其中，所述DBR区的光栅具有不同的刻蚀深度；S5，光刻、显影，以使光刻胶覆盖所述DBR区靠近有源区的部分光栅；S6，利用ICP干法刻蚀所述部分光栅，形成刻蚀光栅；S7，HF腐蚀所述二氧化硅、外延InP波导层和P型InGaAs接触层；S8，利用所述InP波导层和所述P型InGaAs接触层湿法腐蚀制作脊波导；S9，湿法腐蚀所述有源层和所述DBR区之间脊上表面InGaAs，He离子注入做电隔离；S10，生长二氧化硅，利用光敏型聚酰亚胺，光刻显影固化制备有源区Pad电极下的聚酰亚胺；S11，制作正面电极；S12，制作背面电极，退火。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 DBR激光器及其制作方法
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