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申请/专利权人：江苏神州半导体科技有限公司

摘要：本发明公开了三相电路技术领域内的一种三相软启动与跌落保护拓扑结构，包括：整流采样电路，包括整流电路和采样电路，整流电路用以输出整流输出电压，采样电路用以输出采样电压；信号隔离电路，与整流采样电路连接，信号隔离电路接收采样电压并与参考电压一比较，根据比较结果输出控制电压；继电器控制电路，包括继电器K1和控制单元，继电器K1设置于整流电路的输出端，控制单元接收信号隔离电路输出的控制电压并与参考电压二比较，根据比较结果控制继电器K1的通断。该三相软启动与跌落保护拓扑结构，不需要软件电路，完全由硬件电路实现，可以快速地触发电路保护，可靠性更高。

主权项：1.一种三相软启动与跌落保护拓扑结构，其特征在于，包括：整流采样电路，所述整流采样电路的输入端与三相电连接，所述整流采样电路包括整流电路和采样电路，所述整流电路用以输出整流输出电压，所述采样电路用以根据所述三相电输出采样电压；信号隔离电路，所述信号隔离电路与所述整流采样电路连接，所述信号隔离电路接收所述采样电压并与参考电压一比较，所述信号隔离电路根据比较结果输出控制电压；继电器控制电路，由继电器K1和控制单元构成，所述继电器K1设置于所述整流电路的输出端，所述控制单元接收所述信号隔离电路输出的控制电压并与参考电压二比较，所述控制单元根据比较结果控制所述继电器K1的通断；具体的：所述采样电路包括二极管D8、D9、D10，及电阻R2、R10，所述二极管D8、D9、D10的正极分别连接所述三相电的一相，所述二极管D8、D9、D10的负极均与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端接地，所述电阻R10与所述电阻R2连接的一端为所述采样电路的输出端；所述信号隔离电路由电阻R1、R3、R4、R5，稳压二极管D4，比较器U1A，及光耦U2构成，所述电阻R1一端与所述整流电路输出端连接，另一端分别与所述稳压二极管D4的负极、所述电阻R4的一端、所述电阻R5的一端连接，所述稳压二极管D4的正极接地，所述电阻R4的另一端分别与所述电阻R3的一端、所述比较器U1A的正输入口连接，所述电阻R5的另一端与所述比较器U1A的输出端连接，所述比较器U1A的负输入口与所述采样电路的输出端连接，所述比较器U1A的输出端与所述光耦U2的输入端连接，所述光耦U2的输出端为所述信号隔离电路的输出端，用以输出所述控制电压；所述控制单元由电阻R6、R7、R8、R9，电容C2，比较器U3A、U3B，及三极管Q1构成，所述比较器U3A的负输入口与所述信号隔离电路的输出端连接，所述电阻R6、R7、R8的一端分别与外部电源连接，所述电阻R6的另一端分别与所述电阻R9的一端、所述比较器U3A的正输入口、所述比较器U3B的负输入口连接，所述比较器U3A的输出端分别与所述比较器U3B的正输入口连接、所述电阻R8的另一端、所述电容C2的一端连接，所述比较器U3B的输出端分别与所述电阻R7的另一端、所述三极管Q1的基极连接，所述三极管Q1的集电极通过所述继电器K1的线圈与所述外部电源连接，所述电阻R9的另一端、所述电容C2的另一端、所述三极管Q1的发射极均接地，所述继电器K1的触头串联于所述整流电路的输出端与负载之间。

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