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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

摘要：本发明涉及一种嵌入式焊盘结构的制作方法，首先形成第一介质层和第一接触垫在半导体基底的顶部金属层上，第一接触垫与顶部金属层中的第一连接部电接触，然后形成第二介质层和与顶部金属层中的第二连接部电接触的导电插塞，接着形成第三介质层在第二介质层和导电插塞的上表面，并形成第二接触垫在第三介质层中的第三通孔中，使第二接触垫通过导电插塞与第二连接部电连接，然后形成第四通孔露出第一接触垫，以第一接触垫暴露的部分作为内焊盘，以第二接触垫作为外焊盘。该制作方法相较于现有工艺需要执行的光刻次数较少，成本较低。进而，形成第三通孔和第四通孔的步骤可以利用激光刻蚀工艺完成，可以进一步简化工艺。

主权项：1.一种嵌入式焊盘结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有顶部金属层，所述顶部金属层包括在半导体基底表面内间隔布置的第一连接部和第二连接部；形成第一介质层和第一接触垫，所述第一介质层覆盖所述半导体基底、第一连接部和第二连接部，所述第一介质层中具有露出所述第一连接部上表面的第一通孔，所述第一接触垫填满所述第一通孔并与所述第一连接部电接触；形成第二介质层在所述第一介质层和第一接触垫的上表面，所述第二介质层覆盖所述第一介质层和第一接触垫；形成图形化的第一光阻层在所述第二介质层的上表面；利用所述第一光阻层作为掩模，刻蚀所述第二介质层和所述第一介质层的叠层，以形成第二通孔贯穿所述第一介质层和第二介质层的叠层并露出所述第二连接部上表面；去除所述第一光阻层；沉积导电材料，以覆盖所述第二介质层上表面并填满所述第二通孔；利用平坦化工艺，去除位于所述第二介质层上表面的导电材料，形成导电插塞，所述导电插塞填满所述第二通孔并与所述第二连接部电接触；形成第三介质层在所述第二介质层和所述导电插塞的上表面，其中，形成所述第三介质层包括：将液态的热固化材料涂覆在所述第二介质层和所述导电插塞表面；在设定温度进行热固化，得到所述第三介质层；形成第三通孔在所述第三介质层中，所述第三通孔露出所述导电插塞；形成第二接触垫在所述第三通孔中，所述第二接触垫通过所述导电插塞与所述第二连接部电连接；以及形成第四通孔贯穿所述第三介质层和所述第二介质层的叠层并露出所述第一接触垫，以所述第一接触垫暴露的部分作为内焊盘，以所述第二接触垫作为外焊盘。

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