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申请/专利权人：江苏亨通光导新材料有限公司;江苏亨通光电股份有限公司;江苏亨通光纤科技有限公司

摘要：本发明公开了简单剖面结构保偏母材及其高效制备方法，该保偏母材由内至外依次包括VAD芯层、VAD外侧包层和OVD包层，VAD芯层中掺锗，其相对折射率n1为0.5％～0.9％，所述VAD外侧包层中掺氟，其相对折射率n2为‑0.05％～‑0.1％。本发明综合VAD+OVD工艺的优点，配合烧结掺氟工艺，在动态保温炉或动态保温箱中进行充分保温处理，以降低延伸过程芯层应力集中炸裂风险，无需对现有设备进行改造，在产品质量和产量方面，有效提升保偏母材的产出效率，可一次性制备大量光学参数一致的保偏母棒，批次稳定性高，同时降低对设备稳定性要求，使保偏预制棒母材的价格降低30％以上，提升产品的价格竞争力。

主权项：1.简单剖面结构保偏母材，其特征在于，由内至外依次包括VAD芯层、VAD外侧包层和OVD包层，所述VAD芯层中掺锗，其相对折射率n1为0.7%，所述VAD外侧包层中掺氟，其相对折射率n2为-0.05%；所述简单剖面结构保偏母材的高效制备方法，包括以下步骤：1）、利用VAD设备，通过SiCl4与氢氧火焰反应制备SiO2松散体，在沉积过程中，VAD芯层掺杂GeO2，其相对折射率n1为0.7%；同时在VAD芯层外侧沉积出VAD外侧包层；2）、将步骤1）所得半成品置于烧结设备进行玻璃化，具体为：经过脱水、渗氟、烧结过程，得到透明玻璃体，渗氟过程选择CF4为氟源，渗氟温度1100±20℃，得到的VAD外侧包层的相对折射率n2为-0.05%；3）、将上述烧结完成的玻璃棒置于动态保温炉中保温处理，保温炉温度1100±30℃，保温时间26～30h，按照上下或水平移动速度2～10mmmin往复进行，旋转速度1～3转min，结束后随炉冷却到800±25℃取出；4）、将上述玻璃棒进行延伸，得到透明无缺陷玻璃棒，其中延伸直径D1为33mm，棒身弯曲度0.1mmm，切割成长度1000～3000米标段；5）、将上述标段玻璃棒作为OVD沉积标准种棒，该种棒头、尾各焊接一段与种棒直径相近的实心尾柄，避免安装在OVD设备时，直接夹在种棒上，造成浪费，而且尾柄可重复使用，为方便焊接，尾柄直径为D1±3mm，整棒弯曲度为0.1mmm；6）、将上述焊接后的种棒置于HF溶液进行酸洗，HF酸浓度6±2%，酸洗时间为35±10min；7）、将上述种棒置于OVD设备的OVD内箱体内，OVD内箱体内嵌于OVD外箱体内，通入SiCl4原料与氢氧火焰反应，进行外包层沉积，沉积直径根据保偏预制棒设计外径尺寸进行，结束后置于烧结炉中进行脱水、烧结或者烧结掺杂处理，得到无缺陷的玻璃母棒；8）、上述OVD玻璃母棒进行等比例延伸，得到无外观缺陷细直径玻璃棒，其直径D2为48±0.5mm，并将其分切为350≤L≤1100mm标段；9）、将上述D2直径标段使用机加工车床沿长度方向进行钻孔，钻孔数量呈对称结构，配合MCVD工序制备的含B2O3应力棒，组装在一起，完成保偏母材的制备。

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