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申请/专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司
摘要：本发明提供了一种气体分配元件和包括该气体分配元件的热处理装置。该气体分配元件包括孔洞分布密度不同的至少两个区域。具体地，该气体分配元件包括从几何中心向外径向延伸第一距离界定的第一区域，从最外侧边缘向所述几何中心径向延伸第二距离界定的第二区域；所述第一区域和所述第二区域分别具有分布密度不同的孔洞。本发明的气体分配元件能够在低压环境下，使得热处理装置的反应腔室内的少量气体在腔室内形成均匀气流，消除被处理工件表面的中心和边缘之间的差异。
主权项：1.一种气体分配元件，其特征在于，所述气体分配元件设置在低压热处理装置的进气一端侧壁的内侧，其中所述低压热处理装置的工艺气体压力是1至20托的低压，并且所述气体分配元件包括：从几何中心向外径向延伸第一距离界定的第一区域，从最外侧边缘向所述几何中心径向延伸第二距离界定的第二区域，其中在所述第二区域的孔洞的密度大于在所述第一区域的孔洞的密度；以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的至少一个第三区域，且所述第三区域具有不同于所述第一区域和第二区域的孔洞分布密度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京屹唐半导体科技股份有限公司 气体分配元件和含其的热处理装置
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