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直拉法制备矩形硅单晶锭的装置、方法及硅单晶锭 

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申请/专利权人:苏州晨晖智能设备有限公司

摘要:本发明属于单晶硅生产技术领域,具体涉及直拉法制备矩形硅单晶锭的装置、方法及硅单晶锭。装置包括加热器和坩埚,在熔硅表面水平截面内,加热器、坩埚和硅单晶锭的对称中心相重合,在坩埚中熔硅表面内设有两两相对的4组熔硅表面热流导壁,每组熔硅表面热流导壁组成一个热流通道,热流通道具有第一开口和第二开口,第一开口朝向坩埚外周的加热器,第二开口朝向硅单晶锭结晶前沿,由各热流通道的第二开口为直边形成一个出口矩形,出口矩形的内角与相应的矩柱形的硅单晶锭的棱角的距离D为3mm~100mm,能够稳定结晶前沿温度梯度和温度分布,提高晶体矩形度成形质量。

主权项:1.一种用直拉法制备矩形硅单晶锭的制备装置,包括加热器(1)和坩埚(2),在熔硅表面水平截面内,所述加热器(1)、所述坩埚(2)和硅单晶锭(3)的对称中心相重合,其特征在于,在所述坩埚(2)中熔硅表面内设有两两相对的4组熔硅表面热流导壁,每组所述熔硅表面热流导壁组成一个热流通道,所述热流通道具有第一开口和第二开口,所述第一开口朝向所述坩埚(2)外周的所述加热器(1),所述第二开口朝向硅单晶锭结晶前沿,由各所述热流通道的所述第二开口为直边形成一个出口矩形(4),所述出口矩形(4)的内角与相应的矩柱形的硅单晶锭的棱角的距离D为3mm~100mm;所述制备装置包括4个分流岛(5),4个所述分流岛(5)呈矩形阵列、横截面中心对称地安装于所述坩埚(2)的底部,每个所述分流岛(5)呈竖直柱状且上端高出熔硅表面,每个所述分流岛(5)具有相对的两个分流岛半柱面(501),所述分流岛半柱面(501)构成所述熔硅表面热流导壁。

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