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申请/专利权人：成都先进功率半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体芯片封装技术领域，具体涉及一种芯片的DFN双面散热封装结构及封装方法，其中芯片封装结构包括引线框架和散热基板组件，引线框架设有若干凸台，若干凸台与芯片电极数较多的一面的电极对应连接，引线框架还设有与芯片的电极连接的管脚连接件，散热基板组件安装在引线框架上凸台的一侧，芯片设在散热基板组件和引线框架之间并使芯片背面与散热基板贴合。本申请可采用芯片倒装的方式使芯片背面朝上，可将散热基板贴合覆盖在整个芯片背面，使芯片背面面积作为芯片的散热面积进行热传导，相比于传统DFN双面散热封装，散热基板可避开芯片各电极相互电绝缘的干扰，简化基板结构复杂度，提高了DFN封装顶部的散热面积及散热效率。
主权项：1.一种芯片的DFN双面散热封装结构，其特征在于，包括引线框架（1）和散热基板组件（2），所述引线框架（1）设有若干凸台（11），所述若干凸台（11）能够与所述芯片（3）电极数较多的一面的电极对应连接，所述引线框架（1）还设有能够与所述芯片（3）的电极连接的管脚连接件（12），所述散热基板组件（2）安装在所述引线框架（1）设有所述凸台（11）的一侧，所述芯片（3）能够安装在所述散热基板组件（2）和引线框架（1）之间并使所述芯片（3）电极数较少的一面与所述散热基板组件（2）贴合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都先进功率半导体股份有限公司 一种芯片的DFN双面散热封装结构及封装方法
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