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申请/专利权人:星科金朋私人有限公司
摘要:半导体装置具有半导体晶片,其包括多个半导体管芯。在该半导体晶片上形成绝缘层。绝缘层的一部分通过LDA而去除来暴露半导体管芯的有源表面的一部分。在半导体管芯的有源表面上的接触盘上形成第一导电层。使半导体晶片单个化来将半导体管芯分开。半导体管芯设置在载体上,其中半导体管芯的有源表面偏离该载体。密封剂沉积在半导体管芯和载体上来覆盖半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分。互连结构在第一导电层上形成。备选地,MUF材料沉积在半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分上。
主权项:1.一种制作半导体装置的方法,包括:提供衬底;在所述衬底上设置半导体管芯,具有所述衬底和所述半导体管芯之间的半导体管芯的互连结构;在衬底和半导体管芯上以及在衬底和半导体管芯之间沉积第一密封剂;使第一密封剂和衬底单个化;在载体上设置所述衬底、半导体管芯和第一密封剂;在所述衬底、半导体管芯、第一密封剂和载体上沉积第二密封剂,其中所述第二密封剂覆盖衬底的侧表面和第一密封剂的侧表面;去除所述载体;并且在去除所述载体之后将所述第二密封剂单个化。
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权利要求:
百度查询: 星科金朋私人有限公司 半导体装置和将密封剂沉积在嵌入式WLCSP中的方法
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