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申请/专利权人：海南师范大学

摘要：本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种半导体激光器。一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构由第一底部分布布拉格反射镜层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部分布布拉格反射镜层，欧姆接触层，第二底部分布布拉格反射镜层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部分布布拉格反射镜层和窗口层组成。本发明提出一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构，由一次外延生长来实现有源层、高反射率分布布拉格反射镜层和窗口层在内的绿光垂直腔面发射半导体激光器完整外延结构，无需二次外延生长，从而能够保证获得高质量的外延材料。

主权项：1.一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构，其特征在于，包括第一底部分布布拉格反射镜层、第一下势垒层、第一有源层、隧道结、电流注入层、第一上势垒层、第一顶部分布布拉格反射镜层、欧姆接触层、第二底部分布布拉格反射镜层、第二下势垒层、第二有源层、第二上势垒层、第二顶部分布布拉格反射镜层和窗口层；在衬底层上由下至上依次包括：蓝宝石衬底1，该衬底用于在其上外延生长垂直腔面发射激光器各层材料；缓冲层2，为GaN材料，该缓冲层制作在衬底上，用于阻止衬底中缺陷的转移；第一底部分布布拉格反射镜层3，为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN+-GaN分布布拉格反射镜同质结材料；第一下势垒层4，该第一下势垒层制作在底部分布布拉格反射镜层上；第一有源层5，为多量子阱，该第一有源层制作在第一下势垒层上；隧道结6，该隧道结制作在多量子阱层上；电流注入层7，该电流注入层制作在隧道结上；第一上势垒层8，为厚度是100nm的GaN材料，制作在电流注入层上；第一顶部分布布拉格反射镜层9，为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN+-GaN分布布拉格反射镜同质结材料，该分布布拉格反射镜层制作在第一上势垒层上；欧姆接触层10，为厚度是300nm的n+-GaN材料，该欧姆接触层制作在第一顶部分布布拉格反射镜层上；第二底部分布布拉格反射镜层11，为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN+-GaN分布布拉格反射镜同质结材料，该第二底部分布布拉格反射镜层制作在欧姆接触层上；第二下势垒层12，为GaN材料，制作在同质结分布布拉格反射镜层上；第二有源层13，为多量子阱，该第二有源层制作在第二下势垒层上；第二上势垒层14，为厚度是100nm的GaN材料，该第二上势垒层制作在第二有源层上；第二顶部分布布拉格反射镜层15，为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN+-GaN分布布拉格反射镜同质结材料，该第二顶部分布布拉格反射镜层制作在第二上势垒层上；窗口层16，为GaN材料，为厚度是100nm的n+-GaN材料，该窗口层制作在第二顶部分布布拉格反射镜层上；只需一次外延生长即可完成包括第一底部分布布拉格反射镜层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部分布布拉格反射镜层，欧姆接触层，第二底部分布布拉格反射镜层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部分布布拉格反射镜层和窗口层在内的绿光垂直腔面发射半导体激光器完整外延结构，无需二次外延生长包括第二分布布拉格反射镜结构。

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