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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法、埋入式字线结构，半导体结构包括衬底、沟槽、第一介质层、第一导电层、第二导电层、目标侧墙及第三导电层，衬底内包括间隔分布的掺杂区；沟槽位于掺杂区之间且底面不高于掺杂区的底面；第一介质层覆盖沟槽的侧壁及底面；第一导电层位于沟槽底部的第一介质层的表面且顶面不高于掺杂区的底面；第二导电层位于第一导电层的顶面且顶面低于掺杂区的顶面；目标侧墙位于第二导电层的顶面，且覆盖第一介质层的部分侧表面；第三导电层位于第二导电层的顶面，第三导电层的顶面高于掺杂区的底面且低于目标侧墙的顶面。该半导体结构可以提高驱动电流并降低栅极泄露电流，提高半导体结构的读写速度及可靠性。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内包括间隔分布的掺杂区；沟槽，位于所述掺杂区之间且底面不高于所述掺杂区的底面；第一介质层，覆盖所述沟槽的侧壁及底面；第一导电层，位于所述沟槽底部的所述第一介质层的表面且顶面不高于所述掺杂区的底面；第二导电层，位于所述第一导电层的顶面且顶面低于所述掺杂区的顶面；目标侧墙，位于所述第二导电层的顶面，且覆盖所述第一介质层的部分侧表面；第三导电层，位于所述第二导电层的顶面，所述第三导电层的顶面高于所述掺杂区的底面且低于所述目标侧墙的顶面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制备方法、埋入式字线
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