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申请/专利权人：深圳市芯存科技有限公司
摘要：本发明涉及计算机技术领域，提供一种SLCNAND闪存控制器的读写操作优化方法及装置，方法包括：将数据包发送至响应端，以使所述响应端对所述数据包进行解析，并获得待写入数据和响应端内存地址；接收所述响应端返回的确认消息，并基于所述确认消息确定数据写入完成，所述确认消息是所述响应端在检测到所述数据包中包括同步确认标志的情况下，将所述待写入数据写入所述响应端内存地址中并在写入完成后返回的。本发明可以为SLCNAND闪存控制器提供明确的数据写入完成信号，确保数据被响应端正确接收，从而避免出现数据不匹配的情况，同时提高数据写入的可靠性。
主权项：1.一种SLCNAND闪存控制器的读写操作优化方法，其特征在于，所述方法应用于SLCNAND单层单元闪存控制器，所述方法包括：将数据包发送至响应端，以使所述响应端对所述数据包进行解析，并获得待写入数据和响应端内存地址；接收所述响应端返回的确认消息，并基于所述确认消息确定数据写入完成，所述确认消息是所述响应端在检测到所述数据包中包括同步确认标志的情况下，将所述待写入数据写入所述响应端内存地址中并在写入完成后返回的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市芯存科技有限公司 SLC NAND闪存控制器的读写操作优化方法及装置
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