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申请/专利权人:江苏三月科技股份有限公司
摘要:本发明涉及一种氰基苯修饰的咔唑稠环化合物及有机电致发光器件,属于半导体技术领域,本发明提供化合物的结构如通式I所示:本发明提供的氰基苯修饰的咔唑稠环化合物作为OLED发光器件的发光层材料使用时,可产生TADF效果,提高器件的发光效率,并延长器件的寿命。
主权项:1.一种氰基苯修饰的咔唑稠环化合物,其特征在于,所述化合物结构如通式I所示: 通式I中,所述L1表示为取代或未取代的5-30元亚杂芳基中的一种;所述R2表示为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C3~C10的环烷基、取代或未取代的C6~C30芳基或者取代或未取代的5-30元杂芳基中的一种;所述M1、M2、M3表示为取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的5-30元杂芳基中的一种;所述Y表示为N-L2-R1或C-R3-R4;所述L2表示为单键、取代或未取代的C6~C30亚芳基、取代或未取代的5-30元亚杂芳基中的一种;所述R1表示为取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的5-30元杂芳基中的一种;所述R3、R4表示为取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的5-30元杂芳基中的一种;所述R3和R4之间可以通过单键成环;用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、氰基、C1~C10的烷基、C3~C10的环烷基、C6~C30芳基、5-30元杂芳基中的一种或多种。
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