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申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体领域，具体是一种磷化铟多晶的制备方法和磷化铟多晶合成反应器。本发明提供的制备方法采用垂直高压梯度冷凝法合成磷化铟多晶，通过控制反应体系外压力高于反应体系内压力，能够合成多种尺寸的磷化铟多晶，最大可以合成6英寸磷化铟多晶，不仅纯度高，并且成晶率也高；通过控制反应容器的形状，还能直接合成得到符合后续用于生长磷化铟单晶的形状的磷化铟多晶。实验表明，本发明提供的制备方法成功合成得到圆柱形磷化铟多晶棒，杂质含量低至423ppb，成晶率高达93%。
主权项：1.一种磷化铟多晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1）在保护气体和氢气的氛围下，将同一反应体系中位于第一区域的铟和位于第二区域的磷进行反应；所述第二区域位于所述第一区域的上方；所述反应体系外压力比所述反应体系内压力高0.5atm~1atm；S2）将步骤S1得到的反应产物由下向上进行梯度冷凝，得到磷化铟多晶。
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百度查询： 广东先导微电子科技有限公司 一种磷化铟多晶的制备方法和磷化铟多晶合成反应器
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