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申请/专利权人：中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
摘要：一种氮化镓半桥表贴封装结构及工艺，包括上桥芯片、下桥芯片、输出电极、输入正电极、输入负电极、上桥栅极控制电极、下桥栅极控制电极和基板，下桥芯片下方与基板固定连接，所述下桥芯片上方通过下桥锡珠分别与输出电极、下桥栅极控制电极、输入负电极相连，所述上桥芯片下方通过上桥锡珠分别与电极输出电极、上桥栅极控制电极、输入正电极相连。通过将芯片放置为上下结构，输入正负极设置为叠层结构，使整体的封装结构更加紧凑，以及杂散电感、分布电阻更小，电性能的稳定性及封装稳定性高。
主权项：1.一种氮化镓半桥表贴封装结构，包括上桥芯片1、下桥芯片7、输出电极3、输入正电极9、输入负电极11、上桥栅极控制电极4、下桥栅极控制电极5和基板，下桥芯片7下方与基板8固定连接，其特征在于：所述下桥芯片7上方通过下桥锡珠6分别与输出电极3、下桥栅极控制电极5、输入负电极11相连，所述上桥芯片1下方通过上桥锡珠2分别与电极输出电极3、上桥栅极控制电极4、输入正电极9相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 一种氮化镓半桥表贴封装结构及工艺
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