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申请/专利权人：清华大学
摘要：本发明公开了钛酸镁铋‑钛酸锶基储能薄膜及其制备方法和用途。该钛酸镁铋‑钛酸锶基储能薄膜包括：xMn‑1‑yBiMg0.5Ti0.5O3‑ySr1‑1.5aBiaTiO3‑bTiO2，且0≤x≤0.05，0＜y≤0.5，0≤a≤0.5，0≤b≤0.5。该钛酸镁铋‑钛酸锶基储能薄膜不仅组成简单，而且将其用于电介质电容器中还能实现击穿场强和极化强度差值的同时提升，从而带来储能密度和效率的显著提升。
主权项：1.一种钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜，其特征在于，包括：xMn-1-yBiMg0.5Ti0.5O3-ySr1-1.5aBiaTiO3-bTiO2，且0≤x≤0.05，0＜y≤0.5，0≤a≤0.5，0≤b≤0.5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜及其制备方法和用途
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