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申请/专利权人：中国科学院沈阳自动化研究所
摘要：本发明涉及一种变电站环境下绝缘子串局部过曝图像的判断方法，其属于目标检测领域。本发明方法包括：步骤一，对神经网络输出的图像进行预处理操作。步骤二，提取图像特征，提取绝缘子串左右边缘及中线，并使用随机采样一致性算法拟合绝缘子串的理论中线。步骤三，计算特征参数，基于灰度曲线特征计算绝缘子片数量，并计算拟合后的理论中线的偏差值，并结合两者计算图像过曝程度。按照本发明方法可以识别这种图像过曝导致的绝缘子串缺失情况，能够判断图像过曝程度。
主权项：1.一种变电站环境下绝缘子串局部过曝图像的判断方法，其特征如下，包括以下步骤：步骤1：对采集的变电站环境下绝缘子串局部过曝原始图像进行预处理操作，得到包含绝缘子串轮廓位置的前景图像；步骤2：在前景图像中提取图像特征，采用随机采样一致性算法拟合绝缘子串的理论中线；步骤3：基于灰度曲线特征计算绝缘子片数量，并计算拟合后的理论中线的偏差值，并结合两者计算图像过曝程度；所述绝缘子串中线坐标为： 其中，Medgeold为中线点的集合为序号为k的中线上点的x轴坐标与y轴坐标；lik,ljk是绝缘子串左侧边缘轮廓的坐标点，rik,rjk是绝缘子串右侧边缘轮廓的坐标点；所述绝缘子串的理论中线的拟合，包括：采随机采样一致性算法对中线点进行拟合，得到拟合后的直线：y＝ax+b4得到拟合修正后的理论中线点mk坐标集合Medgenew如下： 其中，mik,mjk为修正后的任意理论中线点mk的横、纵坐标计算拟合修正后中线和原始中线的偏差为： 计算过曝程度参数，包括：根据中线的偏差与是否缺片判断过曝的程度参数值： 其中，k1和k2是比例系数，σ是中线偏差，m是检测到的绝缘子串片数，Nt表示类型t的绝缘子串的总片数；结果δ是表示绝缘子串过曝程度的参数，其值越大，表示图像的过曝越严重。
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权利要求：
百度查询： 中国科学院沈阳自动化研究所 一种变电站环境下绝缘子串局部过曝图像的判断方法
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