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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种多颗MOSFET管集成的分立器件测试方法，包括步骤：提供被测试裸芯片，被测试裸芯片为由多颗MOSFET管集成的分立器件且具有m个衬垫并用于实现逻辑功能。将多同测机台中的n个初始测试位合并为一个新测试位，3n大于等于m。设置和新测试位相对应的新针卡，新针卡中的探针根据和m个衬垫的位置进行设置，且各探针都位于一个针卡通道上。将新针卡和被测试裸芯片的各衬垫连接并实现对被测试裸芯片的测试。本发明能采用单针卡单次测试实现对分立器件中的各MOSFET管的测试，能节约针卡成本并避免部分衬垫重复扎针，还能提高测试效率。
主权项：1.一种多颗MOSFET管集成的分立器件测试方法，其特征在于，包括如下步骤：提供被测试裸芯片，所述被测试裸芯片为由多颗MOSFET管集成的分立器件，所述被测试裸芯片具有m个衬垫并用于实现逻辑功能，m大于等于4；将多同测机台中的n个初始测试位合并为一个新测试位，各所述初始测试位包括和MOSFET管的3个电极相连的3个针卡通道；所述新测试位的针卡通道数量为3n个，n为整数，3n大于等于m；设置和所述新测试位相对应的新针卡，所述新针卡中的探针根据和m个所述衬垫的位置进行设置，且各所述探针都位于一个所述针卡通道上；将所述新针卡和所述被测试裸芯片的各所述衬垫连接并实现对所述被测试裸芯片的测试。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 多颗MOSFET管集成的分立器件测试方法
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