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申请/专利权人：中国矿业大学(北京)
摘要：本发明提供了一种氧化石墨烯基PN结及其制备方法和应用，涉及半导体原件技术领域。所述氧化石墨烯基PN结包括依次层叠的导电基底、N型氧化石墨烯层、P型氧化石墨烯层和银电极；其中，所述N型氧化石墨烯层包括具有给电子性能的芳香烃化合物和氧化石墨烯；其中，所述P型氧化石墨烯层包括具有吸电子性能的芳香烃化合物和氧化石墨烯。本发明所述氧化石墨烯基PN结的结构均一性良好，质地均匀，且具备显著的整流特性与光电响应能力；同时，还能避免了BN原子取代化学反应过程对氧化石墨烯禁带宽度的影响，可以实现氧化石墨烯基PN结禁带宽度的精确控制。
主权项：1.一种氧化石墨烯基PN结，其特征在于，所述氧化石墨烯基PN结包括依次层叠的导电基底、N型氧化石墨烯层、P型氧化石墨烯层和银电极；其中，所述N型氧化石墨烯层包括具有给电子性能的芳香烃化合物和氧化石墨烯；其中，所述P型氧化石墨烯层包括具有吸电子性能的芳香烃化合物和氧化石墨烯。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国矿业大学(北京) 一种氧化石墨烯基PN结及其制备方法和应用
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