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申请/专利权人：无锡学院
摘要：本发明提供了一种纳米金粒子掩埋的混合集成M‑Z型模式全光开关芯片，包括衬底层，所述衬底层上设有MZI型波导，所述MZI型波导外部生长有将其包覆且折射率低于所述MZI型波导的上包层；所述MZI型波导为双通道输入MZI型光波导结构，所述双通道输入MZI型光波导结构中部设有用于相位调制的纳米金粒子掩埋层，所述纳米金粒子掩埋层为由纳米金粒子分散在聚合物中形成。本发明通过纳米金粒子掩埋层结构及其纳米金粒子的光热效应，降低了光开关器件的功耗，更高的光激发效率，实现光开关的调控；与传统热光开关相比，省略了电极结构，开关响应速度更快，易于与光芯片系统集成。
主权项：1.一种纳米金粒子掩埋的混合集成M-Z型模式全光开关芯片，其特征在于，包括衬底层20，所述衬底层20上设有MZI型波导23，所述MZI型波导23外部生长有将其包覆且折射率低于所述MZI型波导23的上包层26；所述MZI型波导23为双通道输入MZI型光波导结构，所述双通道输入MZI型光波导结构中部设有用于相位调制的纳米金粒子掩埋层24，所述纳米金粒子掩埋层24为由纳米金粒子分散在聚合物中形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡学院 一种纳米金粒子掩埋的混合集成M-Z型模式全光开关芯片及其制备方法
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