龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：应用材料公司
摘要：描述了用于形成一个或多个半导体结构的方法。该方法包含在小于或等于400℃的温度下，在基板上的至少一个接触沟槽的顶表面及侧壁表面上无选择性地沉积非晶硅层，并且在至少一个接触沟槽的底表面上无选择性的沉积结晶硅层，该底表面包括源极漏极材料。在小于或等于400℃的温度下从顶表面及侧壁表面选择性地移除非晶硅层。可在不破坏真空的情况下在处理腔室中执行该方法。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包含以下步骤：在小于或等于400℃的温度下，在基板上的至少一个特征的顶表面及侧壁表面上无选择性的沉积非晶硅层，并且在所述至少一个特征的底表面上无选择性的沉积结晶硅层；以及在小于或等于400℃的温度下从所述顶表面及所述侧壁表面选择性地移除所述非晶硅层，其中所述方法是在不破坏真空的情况下在处理腔室中执行的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 低温N型接触EPI形成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号