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申请/专利权人：玄武石半导体(武汉)有限公司

摘要：本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种高压LDO过冲保护电路。包括电阻R1，用于限制支路电流，电阻R2、电容C1，用于过滤输出V电压纹波，电容C2，用于稳定IPD节点的电压，二极管D1，用于保护MN4栅极防止其击穿，MOS管MN1、MOS管MP1构成过冲检测电路，检测到过冲电压时，MOS管导通，MOS管MN2、MOS管MN3构成N型电流镜开始工作，将左侧电流复制到右侧电路，高压MOS管MN4为耐高压器件，起耐压作用，MOS管MP2、MOS管MP3、MOS管MP4构成P型电流镜，在右侧电路导通后，复制右侧电路电流，对PGATE1、PGATE2节点电压进行上拉，关闭LDO的功率管，从而达到过冲保护的效果，提高电路的安全性和鲁棒性。

主权项：1.一种高压LDO过冲保护电路，其特征是，包括：第一电阻R1、第二电阻R2，第一电容C1、第二电容C2，二极管D1，第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4，第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、端口VLDO、端口V、端口IPD、端口G、端口PGATE1、端口PGATE2、端口HV；所述端口VLDO与所述第一电阻R1相接，所述第一电阻R1与所述第一PMOS管MP1的源极、所述二极管D1的负端、第四NMOS管MN4的栅极相连；所述端口V与第二电阻R2相连，所述第二电阻R2与所述第一PMOS管MP1的栅极、第一电容C1相连，所述第一NMOS管MN1的栅极与所述端口V相连，所述第一PMOS管MP1的漏极与所述第一NMOS管MN1的漏极相连；所述端口IPD与第一NMOS管MN1的源极、第二电容C2、二极管D1的正端、所述第二NMOS管MN2的漏极、所述第二NMOS管MN2的栅极、所述第三NMOS管MN3的栅极相连；所述端口G与所述第一电容C1、所述第二电容C2、所述第二NMOS管MN2的源极、所述第三NMOS管MN3的源极相连；所述第三MOS管MN3的漏极与所述第四NMOS管MN4的源极相连，所述第四NMOS管MN4的漏极与所述第二PMOS管MP2的漏极、所述第二PMOS管MP2的栅极、所述第三PMOS管MP3的栅极、所述第四PMOS管MP4的栅极相连；所述端口PGATE1与所述第三PMOS管MP3的漏极相连，所述端口PGATE2与第四PMOS管MP4的漏极相连；所述端口HV与所述第二PMOS管MP2的源极、所述第三PMOS管MP3的源极、所述第四PMOS管MP4的源极相连。

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