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申请/专利权人：深圳大学
摘要：本发明公开了一种三维霍尔传感器的制备方法及三维霍尔传感器，方法包括：提供异质结外延片，异质结外延片包括：衬底，沉积在衬底表面的氮化镓沟道层以及沉积在氮化镓沟道层表面的氮化铝镓势垒层；对氮化铝镓势垒层的表面进行刻蚀，形成台面图案；台面图案包括至少四个对称设置的水平型霍尔元件；在水平型霍尔元件上沉积金属，形成电极；电极与氮化镓沟道层欧姆接触；在电极所在的平面上制备磁通聚集器，得到三维霍尔传感器；磁通聚集器的主体位于异质结外延片的中部，磁通聚集器的边缘位于至少四个水平型霍尔元件上；磁通聚集器与电极绝缘。本发明提供的三维霍尔传感器的制备方法，工艺简单，易调控。
主权项：1.一种三维霍尔传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供异质结外延片，所述异质结外延片包括：衬底，沉积在所述衬底表面的氮化镓沟道层以及沉积在所述氮化镓沟道层表面的氮化铝镓势垒层；对所述氮化铝镓势垒层的表面进行刻蚀，形成台面图案；所述台面图案包括至少四个对称设置的水平型霍尔元件和扇出电极图形；在所述扇出电极图形上沉积金属，形成电极；所述电极与所述氮化镓沟道层欧姆接触；在所述电极所在的平面上制备磁通聚集器，得到所述三维霍尔传感器；所述磁通聚集器的主体位于所述异质结外延片的中部，所述磁通聚集器的边缘位于所述至少四个水平型霍尔元件上；所述磁通聚集器与所述电极绝缘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 一种三维霍尔传感器的制备方法及三维霍尔传感器
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