龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：浙江芯晟半导体科技有限责任公司
摘要：本发明公开了一种兼容刻蚀硅和多晶硅的刻蚀方法，使用HBr作为主刻蚀气体，SF6作为辅助刻蚀气体，并采用轰击的方式进行刻蚀，直至达到预设刻蚀时长或预设刻蚀深度。本发明中，在硅和多晶硅同时刻蚀时，使用HBr作为主刻蚀气体，SF6作为辅助刻蚀气体来完成，相比于SF6作为主刻蚀气体来说各向异性反应很小，且HBr刻蚀过程中会生成大量polymer生成物聚合物来保护侧壁，不会带来多晶硅孔的侧壁钻蚀现象，但由于HBr刻蚀速率很慢，所以加入少量SF6来提升刻蚀速率。本发明可以更好地控制刻蚀深度，对硅孔和多晶硅孔的形貌有更好的改善作用。
主权项：1.一种兼容刻蚀硅和多晶硅的刻蚀方法，其特征在于，使用HBr作为主刻蚀气体，SF6作为辅助刻蚀气体，并采用轰击的方式进行刻蚀，直至达到预设刻蚀时长或预设刻蚀深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江芯晟半导体科技有限责任公司 一种兼容刻蚀硅和多晶硅的刻蚀方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号