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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本公开提供了一种1T相范德瓦尔斯材料的应用、磁传感器及制备方法，该磁传感器包括：衬底；位于衬底一侧表面的磁阻层，磁阻层由1T相范德瓦尔斯材料制备而成；位于磁阻层远离衬底一侧表面的金属电极。本公开通过1T相的范德瓦尔斯材料作为传感器中的磁阻层材料，利用1T相的范德瓦尔斯材料隐藏的自旋极化和强自旋轨道耦合效应，表现出明显的AMR和PHE效应，依此制备的磁传感器结构简单、磁各向异性强，信噪比高，可以在宽广的温度区间内，并且在强磁场环境中工作。与此同时，本公开仅需要单一磁阻层，无需构建多层结构，避免了界面起伏问题的同时也有效的减少了磁控溅射方法带来的晶格缺陷等问题。
主权项：1.一种1T相范德瓦尔斯材料的应用，其特征在于，作为磁传感器的磁阻层材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种1T相范德瓦尔斯材料的应用、磁传感器及制备方法
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