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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司

摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种适合正面大金字塔钝化的背接触电池制备方法及所得电池，包括：S4、通过制绒清洗；控制制绒清洗使得大金字塔绒面中金字塔的塔底尺寸为5‑8μm，金字塔的高度为0.5‑1.5μm；S5、在硅片正面依次沉积正面钝化层、减反层，正面钝化层中氧化硅的沉积条件包括：在管式PECVD设备中，通入氩氧混合气，氩氧混合气中氩气的流量占比为95%‑99.5%，氧气的流量占比为0.5%‑5%；且控制氩氧混合气中氧气的流量占比随沉积时间t的延长而增加；S6、在背面沉积第二半导体层。本发明有利于提高大金字塔绒面的钝化水平，从而进一步提高背接触电池的电流密度，进而提高电池转换效率。

主权项：1.一种适合正面大金字塔钝化的背接触电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供双面抛光的硅片；S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和隔离层；S3、在S2所得背面进行刻蚀开口，形成第二半导体开口区；S4、通过制绒清洗，去除第二半导体开口区内残留的隔离层、第一半导体层，同时在硅片正面及第二半导体开口区上形成大金字塔绒面，之后根据需要选择是否进行经过清洗去除硅片背面第二半导体开口区外的隔离层的步骤；控制制绒清洗使得大金字塔绒面中金字塔的塔底尺寸为5-8μm，金字塔的高度为0.5-1.5μm；所述制绒清洗采用的制绒液是碱、制绒添加剂与水的混合液，制绒液中碱的质量百分含量为6%-15%，制绒添加剂的质量百分含量为0.1%-0.4%，且所述碱与制绒添加剂的质量百分含量的比例为1：（0.006-0.1）；S5、在硅片正面依次沉积正面钝化层、减反层，正面钝化层包含氧化硅和在氧化硅外表面设置的氧化铝或非晶硅，非晶硅掺氧或不掺氧；所述氧化硅的沉积条件包括：在管式PECVD设备中，通入氩氧混合气，氩氧混合气中氩气的流量占比为95%-99.5%，氧气的流量占比为0.5%-5%；且控制氩氧混合气中氧气的流量占比随沉积时间t的延长而增加且满足：在沉积0-0.3t时氧气的流量占比为0.5%-1%，在沉积0.4t-0.7t时氧气的流量占比为1.5%-3%，在沉积0.8t-t时氧气的流量占比为4%-5%；S6、在S5所得背面沉积第二半导体层。

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