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申请/专利权人：北京大学
摘要：本申请提供一种基于过度曝光的硅柱结构及其制备方法，涉及电子制造领域，包括：提供硅基衬底；在硅基衬底的一侧形成掩膜层；基于激光直写的光刻工艺对掩膜层进行过度曝光处理，形成与多个第一区域对应的多个第一通孔，其中，相邻第一通孔沿行方向和列方向的侧壁部分连通，以在第二区域形成阵列排布的多个第一结构；基于多个第一结构对硅基衬底靠近掩膜层的一侧进行刻蚀，形成与多个第一结构对应的多个硅柱。本申请采用激光直写的光刻工艺对掩膜层进行曝光处理，降低了对光刻精度的要求，且通过过度曝光的方式形成多个更小尺寸的第一结构，从而基于第一结构刻蚀得到高特征比的硅柱，有效降低了制备高特征比的硅柱结构的工艺复杂性和工艺成本。
主权项：1.一种基于过度曝光的硅柱结构制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供硅基衬底；在所述硅基衬底的一侧形成掩膜层，所述掩膜层包括沿行方向和列方向阵列排布的多个第一区域，以及围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域在所述硅基衬底上的正投影形状为矩形，所述第一区域沿所述行方向或所述列方向的宽度小于或等于2μm；基于激光直写的光刻工艺对所述掩膜层进行过度曝光处理，形成与所述多个第一区域对应的多个第一通孔，所述多个第一通孔贯穿所述掩膜层，其中，相邻第一通孔沿所述行方向和所述列方向的侧壁部分连通，以在所述第二区域形成阵列排布的多个第一结构，所述第一结构在所述硅基衬底上的正投影形状为四角星形或圆形；基于所述多个第一结构对所述硅基衬底靠近所述掩膜层的一侧进行刻蚀，形成与所述多个第一结构对应的多个硅柱，所述硅柱的直径小于或等于1μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种基于过度曝光的硅柱结构及其制备方法
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