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申请/专利权人：中南大学
摘要：本发明公开了一种顾及非均匀各向异性的电离层建模方法，具体包括以下步骤：S1、根据电离层电子密度垂直分布情况对电离层进行分层；S2、求得相应每段卫星信号射线上的STEC和VTEC值；S3、通过顾及电离层非均匀各向异性的投影函数计算每一层穿刺点位置的投影函数值；S4、计算对应层中穿刺点位置处的VTEC值；S5、通过多项式曲面拟合函数对每一层中的VTEC值进行电离层多项式建模，构建电离层多层模型。本发明采用上述一种顾及非均匀各向异性的电离层建模方法，实现了区域电离层多层建模，优化了电离层投影函数，且采用先分层后建模的方式，极大提高了电离层投影精度和建模精度。
主权项：1.一种顾及非均匀各向异性的电离层建模方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、根据电离层电子密度垂直分布情况对电离层进行分层；S2、根据电离层经验模型IRI-plas模型，同化GIMTEC后，计算每一层的电子密度数据，求得相应每段卫星信号射线上的STEC和VTEC值；S3、依据每一层穿刺点位置处IRI-plas模型的STEC和VTEC结果，通过顾及电离层非均匀各向异性的投影函数，计算STECVTEC的比值，得到每一层穿刺点位置的IRI-plas投影函数值；S4、通过求得的投影函数值和通过原始观测方程求得的STEC数据，计算得到对应层中穿刺点位置处的VTEC值；S5、通过多项式曲面拟合函数对每一层中的VTEC值进行电离层多项式建模，构建电离层多层模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中南大学 一种顾及非均匀各向异性的电离层建模方法
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