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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体元件，包含鳍片、分离结构、虚设栅极间隔件、第一磊晶源极漏极区域以及需设闸及材料的残留物。鳍片延伸自基材且包含第一鳍片端。分离结构将第一鳍片端与另一鳍片的相邻第一鳍片端分离。虚设栅极间隔件沿着分离结构的侧壁以及鳍片。第一磊晶源极漏极区域在鳍片中且与第一鳍片端相邻。虚设栅极材料的残留物在虚设栅极间隔件以及第一鳍片端之间的转角区域。第一鳍片端从虚设栅极间隔件突出至分离结构。虚设栅极材料的残留物分离第一磊晶源极漏极区域与分离结构，且虚设栅极材料的残留物为三角形。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一鳍片，延伸自一基材且包含一鳍片端；一分离结构，将该鳍片端与一另一鳍片的一相邻鳍片端分离；一间隔件，沿着该分离结构的一第一侧壁以及该鳍片的一侧壁，其中该鳍片端从该间隔件突出至该分离结构；一第一磊晶源极漏极区域，在该鳍片中且与该鳍片端相邻；以及一虚设栅极的一残留物，在该间隔件以及该鳍片端之间的一转角区域，该残留物设置于该第一磊晶源极漏极区域以及该分离结构之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体元件
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