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申请/专利权人：润新微电子(大连)有限公司
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了晶圆过渡结构、晶圆及其制备方法、老化测试装置及老化测试方法，晶圆过渡结构包括多个芯片，其一侧具有过渡层，每个芯片均包括源电极、漏电极、栅电极、第一电阻、第二电阻、第一电阻电极、第二电阻电极、场板、连接段以及由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层和第二介电层，第二介电层靠近过渡层；连接段用于连接栅电极与第一电阻电极，漏电极还与过渡层连接；场板与栅电极及连接段连接，第一电阻电极与栅电极及第一电阻连接，第一电阻电极还与第二电阻或衬底连接，第一电阻阻值大于第二电阻阻值；所有芯片的源电极均与衬底并联连接，过渡层用于使所有芯片的漏电极并联连接。
主权项：1.一种晶圆过渡结构，包括多个芯片，其特征在于，所述晶圆过渡结构的一侧具有过渡层，每个所述芯片均包括源电极、漏电极、栅电极、第一电阻、第二电阻、第一电阻电极、第二电阻电极、场板、连接段以及由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层和第二介电层，所述第二介电层靠近所述过渡层，所述源电极位于所述叠层结构和第一介电层中，所述漏电极位于所述叠层结构、第一介电层和第二介电层中，所述栅电极位于所述第一介电层中；所述连接段用于连接所述栅电极与第一电阻电极，所述漏电极还与过渡层连接；所述场板与栅电极及连接段均连接，所述第一电阻电极与所述栅电极及第一电阻连接，所述第一电阻电极还与所述第二电阻或衬底连接，所述第一电阻的阻值大于所述第二电阻的阻值；所述晶圆过渡结构的所有芯片的源电极与衬底并联连接，所述过渡层用于使所述晶圆过渡结构的所有芯片的漏电极并联连接。
全文数据：
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百度查询： 润新微电子(大连)有限公司 晶圆过渡结构、晶圆及其制备方法、老化测试装置及老化测试方法
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