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申请/专利权人:山东省科学院新材料研究所
摘要:本发明提供了一种柔性可弯曲钽基掺硼金刚石薄膜及其制备方法和应用,涉及半导体材料技术领域。通过选择金属钽尺寸、预处理金属钽改善其对金刚石的附着能力、再将其作为基底材料,利用金属钽良好的弯曲性能和稳定的化学性质,从而制备出可弯曲钽基掺硼金刚石薄膜。经上述简单、便捷的制备方法得到的钽基掺硼金刚石薄膜,可以兼顾柔性可弯曲功能和优异的电化学性能;以此组装而成的柔性电容器器件在电流密度为1mAcm‑2时,得到功率密度为0.6mWcm‑2和能量密度为25.6mJcm‑2;在电流密度为0.6mAcm‑2时,经过200,00次循环充放电后该器件仍有93.5%的电容保持率。因此,极大的扩展了掺硼金刚石在柔性超级电容器领域的应用。
主权项:1.一种柔性可弯曲钽基掺硼金刚石薄膜的制备方法,其特征在于,所述柔性可弯曲钽基掺硼金刚石薄膜以表面呈网格状的金属钽为基底,在基底上沉积掺硼金刚石,即可实现金刚石薄膜在常温下的柔性可弯曲功能,所述钽基掺硼金刚石薄膜还可以实现常温下的充电放电功能;包括以下步骤:S1处理钽丝或平面钽片,使其表面形成网格状结构,得到金属钽基底;S2在基底上沉积掺硼金刚石;其中,步骤S1中,所述处理操作具体包括:用不同目数砂纸以交叉方向打磨;步骤S1中,所述打磨方式为:先沿钽丝或平面钽片长度方向,按砂纸目数80、100、150、220和400依次打磨,再沿钽丝或平面钽片长度的垂直方向重复用上述目数砂纸依次打磨,单次打磨时间为5-10min;步骤S2中,具体包括以下步骤:S21种晶:用金刚石微粉溶液擦拭金属钽基底表面,进行种晶,结束后烘干基底备用;S22热丝化学气相沉积法镀膜:以B2O3为硼源、甲烷为形核碳源、乙醇为生长碳源,以氢气鼓泡法实现硼掺杂。
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